IPI041N12N3 G
PDF資料下載

IPI041N12N3 G參數(shù)：MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3

類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：500
系列：OptiMOS™
包裝：管件
FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：120V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：120A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：4.1 毫歐 @ 100A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 270µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：211nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：13800pF @ 60V
功率 - 最大值：300W
安裝類(lèi)型：通孔
封裝：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO262-3